收藏本站
NTMFS4836N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.83
0.7
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
27.1
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
13.8
13.3
16
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.65
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
Gate Resistance
L D
L G
R G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
1.2
nH
nH
W
http://onsemi.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4837NT1G MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL
NTMFS4839NT3G MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
NTMFS4841NT3G MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
NTMFS4845NT3G MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL
NTMFS4846NT3G MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
NTMFS4847NAT3G MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
NTMFS4849NT3G MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
NTMFS4851NT3G MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4836NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 90A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4837N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions
NTMFS4837NH 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel, SO−8FL
NTMFS4837NHT1G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4837NHT3G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 74A 5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4837NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 16A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4837NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 16A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4839N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N−Channel, SO−8FL